Нанокомпозиты на основе оксидов 3d-металлов. Исследования морфологии и структуры методами электронной микроскопии и рентгеновской спектроскопии. Антон Фуник
Чтение книги онлайн.

Читать онлайн книгу Нанокомпозиты на основе оксидов 3d-металлов. Исследования морфологии и структуры методами электронной микроскопии и рентгеновской спектроскопии - Антон Фуник страница 12

СКАЧАТЬ каждом шаге (экспозиция). Выбор этих параметров не является однозначным. Так, увеличивая экспозицию, получают высокую точность, но одновременно увеличивается время съемки и в то же самое время повышается вероятность флуктуаций шума измерительной электроники. Для достижения нужной статистики в одном и том же режиме регистрируют несколько спектров и результаты складывают.

      Спектры рентгеновского поглощения отражают распределение электронной плотности свободных состояний в зоне проводимости. Коэффициент поглощения определяется формулой

      где суммирование производится по всем возможным конечным состояниям f, Мif – матричный элемент вероятности перехода, зависящий от взаимного расположения соседних атомов и включающий радиальные многочастичные волновые функции начального Ψi и конечного Ψf состояний. Его можно разделить на низкоэнергетическую и высокоэнергетическую области (рис. 6), различающиеся между собой физическими механизмами формирования тонкой структуры: флуктуации коэффициента поглощения рентгеновского излучения в области, близкой к краю поглощения со стороны высоких энергий (международный термин XANES – X-ray Absorption Near Edge Structure ) либо в околокраевой области (NEXAFS – Near Edge X-ray Absorption Fine Structure) и протяженную осцилляционную структуру, продолжающуюся обычно до 1 кэВ выше края поглощения (EXAFS – Extended X-ray Absorption Fine Structure).

screen_image_39_79_49

      Рис. 6. Области XANES и EXAFS рентгеновского спектра поглощения

      Различия NEXAFS и XANES состоит, как правило, в энергии используемого рентгеновского излучения. В случае экспериментов с применением рентгеновского излучения высокой энергии (жесткий рентген), говорят о XANES спектроскопии, в случае использования мягкого рентгеновского излучения – о NEXAFS спектроскопии. Формирование XANES области обусловлено рассеянием фотоэлектронов с длиной волны порядка межатонмных расстояний, тогда как область EXAFS формируется в результате рассеяния электронов с более короткой длиной волны. Так как в монографии представлены результаты исследований, где основным методом диагностики выступала XANES спектроскопия, мы не будем рассматривать особенности формирования и интерпретации области EXAFS.

      Формирование области XANES происходит в результате рассеяния фотоэлектронов на соседних поглощающему атомах материала. Обладая большой длиной свободного пробега, фотоэлектроны многократно рассеиваются и в процесс рассеяния вовлекаются атомы не только первой координационной сферы. Явление многократного рассеяния связывает, таким образом, ближнюю область спектра поглощения не только с расстояниями соседних атомов, но и с симметрией окружения, делая тем самым XANES спектр чувствительным даже к незначительным изменениям в структуре вещества. За счет большого вклада многократного рассеяния в формирование XANES спектра их интерпретация позволяет получить данные не только о структурных, но и электронных характеристиках исследуемого материала. СКАЧАТЬ