Большой космический обман США. Часть 5. Полеты в далекий космос и марсианский обман США. А. В. Панов

Чтение книги онлайн.

СКАЧАТЬ кристаллы кварца, пригодные для использования в электронной промышленности, встречаются довольно редко». [14]

      На этом проблемы полета в далеком космосе сквозь радиационные пояса планет гигантов не заканчиваются: «Радиация тем опаснее для электроники, чем та миниатюрнее. Автор Антонина Кузьмина.

      Радиация может стать более серьёзной проблемой для современной микроэлектроники, чем считалось. Если быть совершенно точным, полагают исследователи из Университета Вандербильта (США), по крайней мере, в десять раз более серьёзной. Учёные, использовавшие метод когерентной акустической фононной спектроскопии для анализа воздействия ионизирующей радиации на полупроводниковую электронику, выявили, что по мере миниатюризации уязвимость транзисторов растёт вплоть до того, что отдельное устройство может быть выведено из строя единственным ионом». [14]

      На поверхности Юпитера имеются источники микроволнового излучения: «Наблюдение излучения Юпитера в микроволновом диапазоне привело к следующему удивительному открытию: в 1958 г. Слонейкер 6 · 7 обнаружил нетепловое излучение Юпитера на волне 10 см». [15]

      Поэтому, появляется еще одна проблема, в свете опять же американского открытия: «Микроволновое излучение приводит к существенной модификации примесно-дефектной структуры исследуемых полупроводников». [16]

      Чтобы понять, что полет беспилотного аппарата с электроникой, рядом с Юпитером через радиационные пояса это не прогулка по алее, необходимо знать материалы о воздействии рентгеновского излучения на микросхемы: «Механизм повреждения, ЧТО ЖЕ ПРОИСХОДИТ С МИКРОСХЕМОЙ, КОГДА ОНА ПОДВЕРГАЕТСЯ ВОЗДЕЙСТВИЮ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ?

      Механизмы повреждений различаются от технологии к технологии, например, для современных микросхем важны радиационно-индуцированные токи утечки, а в старых технологиях важную роль играл сдвиг порогового напряжения транзистора. К примеру, при прохождении рентгеновского излучения через транзистор в подзатворном диэлектрике начинает накапливаться заряд, который будет влиять на работу транзистора как дополнительно приложенное напряжение (или как сдвиг порогового напряжения). В результате транзистор будет постоянно «открыт», что естественно приведет к потере работоспособности схемы. Также уменьшение порогового напряжения транзистора приведет к превышению общего тока потребления микросхемы из-за токов утечки». [17]

      Аналогичное содержание здесь: Самое интересное вот это:

      «На биполярные транзисторы воздействовали рентгеновским излучением дозой 3600 Р и общей дозой 9000 Р, низкотемпературным отжигом, ЭСР напряжением 1700 В по 5 воздействий положительной и отрицательной полярности на каждый переход транзистора, отжига 100 С в течение 1ч половины партии и повторного рентгеновского излучения общей дозой 14400 Р. Значение г21Э транзисторов КТ3102ЖМ в процессе экспериментов СКАЧАТЬ