Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович Алиев
Чтение книги онлайн.

Читать онлайн книгу Все науки. №3, 2022. Международный научный журнал - Ибратжон Хатамович Алиев страница 4

СКАЧАТЬ href="#image6_62caa6bcba7d7c000720e76d_jpg.jpeg"/>

      темновая и фотопроводимость, расстояние между электродами. Генерируемое фотонапряжения порядка 103—105В, превышающее величину ширины запрещенной зони Eg на два – четыре порядка.

      В соответствии с (3) и симметрией точечной группы кристалла можно написать выражения для фотовольтаического тока. Сравнение экспериментальной угловой зависимости (b) с (3) позволяет определить фотовольтаический тензор aijk или фотовольтаический коэффициент

      (a* – коэффициент поглошения света).

      1. ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ZnS

      В работе изложен результаты исследования объемного фотовольтаического эффекта в пьезоэлектрических кристаллах ZnS, принадлежащих к кубической точечной группе m.

      Исследовались кубические кристаллы ZnS, вырашенные гидротермальным методом в растворах H3PO4 и KOH в лаборатории гидротермального синтеза института кристаллографии Российской АН.

      В отличие от сегнетоэлектриков [4, 5] фотовольтаический эффект в ZnS можно наблюдать только в поляризованном свете [8,9]. В соответствии (3) и симметрией точечной группы при освешении кристалла в z направлении оси 4 порядка (оси z) выражение фотовольтаического тока в z направлении имеет вид:

      где – угол между плоскостью поляризации света и осью х.

      Измерение фотовольтаического тока Jz и генерируемого им поля

      (sф– фотопроводимость) производилось путем снятая стационарных вольт-амперных характеристик [5].

      На рис.1 представлена ориентационная зависимость в направлении [001], снятая при Т = 143К при освещении светом с длинной волны l=500 нм (a*=5 см-1) и интенсивностью I=2.3∙10—3 Вт∙см-2. Кристалл освещается плоско поляризованным светом в направлении [001].Сравнение этой угловой зависимости с (4) даёт

      K14 =2∙10—9A∙см∙ (Вт) -1.

      Таким образом, значение модуля К14 в исследованных кристаллах ZnS существенно выше, чем у известных сегнето- и пьезоэлектриков [4, 5,6].

      В интервале Т=140—3000К модуль К14 обнаруживает слабую температурную зависимость. Благодаря этому, а также из-за сильной температурной зависимости фотопроводимости sф, генерируемое в направление оси z поле

      изменялось в пределах от 1В·см-1 (Т=3000 К) до 40В·см-1 (Т=1430К) и не зависело от интенсивности света I.

      Рис.1 Ориентационная зависимость плотности фотовольтаического тока Jz в направлении [001]. (T=143K, I=2.3∙10—3 Вт∙см-2, =500 нм)

      В кристаллах ZnS, выращенных гидротермальным методом фотовольтаический эффект имеет в основном примесный характер. Это видно из рис.2 где представлены спектральные распределения фотопроводимости sф (1) фотовольтаического тока (2), отнесенные к единицы падающей энергии и края СКАЧАТЬ