Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет. Виктор Мурашев

Скачать книгу в различных форматах или читать онлайн на сайте.

Название: Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

Автор: Виктор Мурашев

Издательство: МИСиС

Жанр: Техническая литература

Серия:

isbn:

isbn: 2001

Аннотация:

С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления